金锗焊带/焊片Au88Ge12

金锗合金Au88Ge12      

        具有低蒸气压、低基础电阻、低熔化温度、与衬底粘附性好、高导电性和导热性等优点。其作为一种共晶焊料,在芯片焊接封装等领域得到广泛应用。常用在电子产品、电真空器件焊接及高温焊接和某些特殊材料的焊接,在大气或H2气炉中钎焊镀金可伐,镀银铝材,Ag、Cu、Ni、可伐合金等,特别适用于钎焊高真空系统中使用的器件。

 

 

 

金锗合金的基本性能:

    金锗合金为共晶合金,共晶点成分12wt%Ge,共晶温度356C。如下图:

 

                                        

金锗合金具有适合用作封装材料的性能:

1、低的封接温度。金锗合金(共晶合金)熔点为356C,钎焊温度为380~400C

2、良好的润湿性及耐腐蚀性具有良好的流散性和浸润性且对镀金层无浸蚀现象,其合金含88wt%Au,与镀金层的成分接近,因而通过扩散对很薄镀层的浸溶程度很低。

3、高的抗拉强度。在室温下的抗拉强度约为220MPa,与一些高温钎料的强度相当,但整个钎焊过程在相对低得多的温度下完成。

4、低的热膨胀系数。电子器件的组装及服役过程中,材料热膨胀系数CTE的非匹配是造成封装失效的一个重要原因,因此电子封装材料的热膨胀系数必须足够低,才能与相互连接的硅元件的特性相匹配。金锗合金的CTE比同样用作电子封装的AuSnAuSi更低。

5、良好的导热性能。金锗合金在微电子器件中可起到为半导体芯片提供机械支撑、接通半导体芯片的电流通路,散逸半导体芯片产生热的作用。

6、较低的蒸气压。

7、比银基合金有更好的耐腐蚀和抗氧化性能。

8、良好的流散性。

9、高温稳定性较好。焊接时一般不形成脆性相,因而焊接强度高。

 

 

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