Au88Ge12金锗合金预成型焊带/焊片   

       Au88Ge12金锗合金具有低蒸气压、低基础电阻、低熔化温度、与衬底粘附性好、高导电性和导热性等优点。其作为一种共晶焊料，在芯片焊接封装等领域得到广泛应用。常用在电子产品、电真空器件焊接及高温焊接和某些特殊材料的焊接，在大气或H2气炉中钎焊镀金可伐，镀银铝材，Ag、Cu、Ni、可伐合金等，特别适用于钎焊高真空系统中使用的器件。

金锗合金的基本性能：

  金锗合金为共晶合金，共晶点成分12wt%Ge，共晶温度356℃。如下图：

金锗合金具有适合用作封装材料的性能：

  1、低的封接温度。金锗合金（共晶合金）熔点为356℃，钎焊温度为380~400℃。

  2、良好的润湿性及耐腐蚀性。具有良好的流散性和浸润性且对镀金层无浸蚀现象，其合金含88wt%Au，与镀金层的成分接近，因而通过扩散对很薄镀层的浸溶程度很低。

  3、高的抗拉强度。在室温下的抗拉强度约为220MPa，与一些高温钎料的强度相当，但整个钎焊过程在相对低得多的温度下完成。

  4、低的热膨胀系数。电子器件的组装及服役过程中，材料热膨胀系数CTE的非匹配是造成封装失效的一个重要原因，因此电子封装材料的热膨胀系数必须足够低，才能与相互连接的硅元件的特性相匹配。金锗合金的CTE比同样用作电子封装的AuSn和AuSi更低。

  5、良好的导热性能。金锗合金在微电子器件中可起到为半导体芯片提供机械支撑、接通半导体芯片的电流通路，散逸半导体芯片产生热的作用。

  6、较低的蒸气压。

  7、比银基合金有更好的耐腐蚀和抗氧化性能。

  8、良好的流散性。

  9、高温稳定性较好。焊接时一般不形成脆性相，因而焊接强度高。